HAMAMATSU滨松 InGaAs PIN 光电二极管 G12181-130K

HAMAMATSU滨松 InGaAs PIN 光电二极管 G12181-130K 详细参数 受光面 φ3.0 mm 像素数 1 封装 金属 封装类别 TO-8 散热 单级电子冷却 灵敏度波长范围 0.9 到 1.87 μm 最大灵敏度波长(典型值) 1.75 μm 感光灵敏度(典型值) 1.1 A/W 暗电流(最大值) 100 nA 截止频率(典型值) 1.8 MHz 结电容(典型值) 1800 pF 噪声等效功率(典型值) 5.0×10-14 W/Hz1/2 测量条件 典型值 Tc = -10°C,除非另有说明,感光灵敏度:λ = λp,暗电流:VR = 0.5 V,截止频率:VR = 0 V,RL = 50 Ω,结电容:VR = 0 V,f = 1 MHz   0755-89355351  手机/微信:13242449659 QQ:842471885 邮箱:842471885@QQ.COM...
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HAMAMATSU滨松 InGaAs PIN 光电二极管 G12181-130K

详细参数

受光面

φ3.0 mm

像素数

1

封装

金属

封装类别

TO-8

散热

单级电子冷却

灵敏度波长范围

0.9 到 1.87 μm

最大灵敏度波长(典型值)

1.75 μm

感光灵敏度(典型值)

1.1 A/W

暗电流(最大值)

100 nA

截止频率(典型值)

1.8 MHz

结电容(典型值)

1800 pF

噪声等效功率(典型值)

5.0×10-14 W/Hz1/2

测量条件

典型值 Tc = -10°C,除非另有说明,感光灵敏度:λ = λp,暗电流:VR = 0.5 V,截止频率:VR = 0 V,RL = 50 Ω,结电容:VR = 0 V,f = 1 MHz

 

0755-89355351  手机/微信:13242449659 QQ:842471885 邮箱:842471885@QQ.COM