Panasonic松下 AQZ202D PhotoMOS(MOSFET输出光电耦合器)
Panasonic松下 AQZ202D PhotoMOS(MOSFET输出光电耦合器) 订货产品号 AQZ202D 型号 AQZ202D 详细 标准P/C板端子,管装包装,负载电压:60 V 产品名称 PhotoMOS 功率 1a 电压驱动 特长 可实现功率控制的窄长形状、电压驱动型 规格详细 项目 内容 订货产品号 AQZ202D 型号 AQZ202D 产品名称 功率 1a 电压驱动 类型 功率 封装 SIL4 电压类型 AC/DC 输出构成 1a 端子形状 标准P/C板端子 包装方式 管装包装 包装数量内箱 (管装包装) (个) 25 包装数量外箱 (个) 500 输入电压 [ VIN ] 30V 输入逆电压 [ VRIN ] 5V 部允许损耗 [ Pin ] 300mW 负载电压 [ VL ] 60V 连续负载电流 [ IL ] 2.7A 峰值负载电流 [ Ipeak ] 9.0A 输出损耗 [ Pout ] 1.6W 全部允许损耗 [ Pt ] 1.6W 耐电压 [ Viso ] 2,500Vrms 使用环境温度: 动作温度 [ Topr ] -40~+85℃ (4 V ≦ VIN ≦ 6 V)-40~+75℃ (6 V < VIN ≦ 15 V)-40~+60...
分类:
货号:
AQZ202D
描述
Panasonic松下 AQZ202D PhotoMOS(MOSFET输出光电耦合器)
订货产品号 | AQZ202D |
型号 | AQZ202D |
详细 | 标准P/C板端子,管装包装,负载电压:60 V |
产品名称 | PhotoMOS 功率 1a 电压驱动 |
特长 | 可实现功率控制的窄长形状、电压驱动型 |
规格详细
项目 | 内容 |
---|---|
订货产品号 | AQZ202D |
型号 | AQZ202D |
产品名称 | 功率 1a 电压驱动 |
类型 | 功率 |
封装 | SIL4 |
电压类型 | AC/DC |
输出构成 | 1a |
端子形状 | 标准P/C板端子 |
包装方式 | 管装包装 |
包装数量 内箱 (管装包装) (个) |
25 |
包装数量 外箱 (个) |
500 |
输入电压 [ VIN ] | 30V |
输入逆电压 [ VRIN ] | 5V |
部允许损耗 [ Pin ] | 300mW |
负载电压 [ VL ] | 60V |
连续负载电流 [ IL ] | 2.7A |
峰值负载电流 [ Ipeak ] | 9.0A |
输出损耗 [ Pout ] | 1.6W |
全部允许损耗 [ Pt ] | 1.6W |
耐电压 [ Viso ] | 2,500Vrms |
使用环境温度: 动作温度 [ Topr ] | -40~+85℃ (4 V ≦ VIN ≦ 6 V) -40~+75℃ (6 V < VIN ≦ 15 V) -40~+60℃ (15 V < VIN ≦ 30 V) |
使用环境温度: 保存温度 [ Tstg ] | -40℃~+100℃ |
接合部温度 [ Tj ] | 125℃ |
动作电压(平均) [ VFon ] | 1.4V |
动作电压(最大) [ VFon ] | 4V |
复位电压(最小) [ VFoff ] | 0.8V |
复位电压(平均) [ VFoff ] | 1.3V |
输入电流(平均) [ IIN ] | 6.5mA |
导通电阻(平均) [ Ron ] | 0.066 Ω |
导通电阻(最大) [ Ron ] | 0.18 Ω |
开路状态漏电流(最大) [ ILeak ] | 10μA |
过电流保护功能 | 无功能 |
动作时间(平均) | 5.8ms |
动作时间(最大) | 10ms |
复位时间(平均) | 0.2ms |
复位时间(最大) | 3ms |
输入/输出间端子容量(平均) [ Ciso ] | 0.8pF |
输入/输出间端子容量(最大) [ Ciso ] | 1.5pF |
输入/输出绝缘电阻(最小) [ Riso ] | 1,000 M ohm |
最大通断频率 | 0.5次/s |
[推荐动作条件] 输入电压 [ VIN ] | 最小:5mA 最大:24mA |
[推荐动作条件] 负载电压 [ VL ] | 最大:48V |
[推荐动作条件] 连续负载电流 [ IL ] | 最大:2.7A |
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