Panasonic松下 AQV252G3 PhotoMOS(MOSFET输出光电耦合器)
Panasonic松下 AQV252G3 PhotoMOS(MOSFET输出光电耦合器) 订货产品号 AQV252G3 型号 AQV252G3 详细 标准P/C板端子，管装包装，负载电压:60 V 产品名称 PhotoMOS HE 1a 高容量 特长 可实现最大3.5A的高电流控制 规格详细 项目 内容 订货产品号 AQV252G3 型号 AQV252G3 产品名称 HE 1a 高容量 类型 HE 封装 DIP6 电压类型 AC/DC 输出构成 1a 端子形状 标准P/C板端子 包装方式 管装包装 包装数量内箱 (管装包装) (个) 50 包装数量外箱 (个) 500 LED电流 [ IF ] 50mA LED反向电压 [ VR ] 5V 最大正向电流 [ IFP ] 1A 部允许损耗 [ Pin ] 75mW 负载电压 [ VL ] 60V 连续负载电流 [ IL ] 3.5A 峰值负载电流 [ Ipeak ] 10A 输出损耗 [ Pout ] 600mW 全部允许损耗 [ Pt ] 650mW 耐电压 [ Viso ] 1,500Vrms 使用环境温度: 动作温度 [ Topr ] -40℃～+85℃ 使用环境温度: 保存温度 [ Tstg ] -40℃～+100℃ ...
分类：
货号：
AQV252G3
描述
Panasonic松下 AQV252G3 PhotoMOS(MOSFET输出光电耦合器)
| 订货产品号 | AQV252G3 |
| 型号 | AQV252G3 |
| 详细 | 标准P/C板端子，管装包装，负载电压:60 V |
| 产品名称 | PhotoMOS HE 1a 高容量 |
| 特长 | 可实现最大3.5A的高电流控制 |
规格详细
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 订货产品号 | AQV252G3 |
| 型号 | AQV252G3 |
| 产品名称 | HE 1a 高容量 |
| 类型 | HE |
| 封装 | DIP6 |
| 电压类型 | AC/DC |
| 输出构成 | 1a |
| 端子形状 | 标准P/C板端子 |
| 包装方式 | 管装包装 |
| 包装数量 内箱 (管装包装) (个) |
50 |
| 包装数量 外箱 (个) |
500 |
| LED电流 [ IF ] | 50mA |
| LED反向电压 [ VR ] | 5V |
| 最大正向电流 [ IFP ] | 1A |
| 部允许损耗 [ Pin ] | 75mW |
| 负载电压 [ VL ] | 60V |
| 连续负载电流 [ IL ] | 3.5A |
| 峰值负载电流 [ Ipeak ] | 10A |
| 输出损耗 [ Pout ] | 600mW |
| 全部允许损耗 [ Pt ] | 650mW |
| 耐电压 [ Viso ] | 1,500Vrms |
| 使用环境温度: 动作温度 [ Topr ] | -40℃～+85℃ |
| 使用环境温度: 保存温度 [ Tstg ] | -40℃～+100℃ |
| 接合部温度 [ Tj ] | 125℃ |
| 动作LED电流(平均) | 0.5mA |
| 动作LED电流(最大) | 3mA |
| 复位LED电流(最小) | 0.2mA |
| 复位LED电流(平均) | 0.4mA |
| LED压降(平均) [ VF ] | 1.32V |
| LED压降(最大) [ VF ] | 1.5V |
| 导通电阻(平均) [ Ron ] | 0.033 Ω |
| 导通电阻(最大) [ Ron ] | 0.06 Ω |
| 开路状态漏电流(最大) [ ILeak ] | 1μA |
| 过电流保护功能 | 无功能 |
| 动作时间(平均) | 1.8ms |
| 动作时间(最大) | 5ms |
| 复位时间(平均) | 0.15ms |
| 复位时间(最大) | 0.5ms |
| 输入/输出间端子容量(平均) [ Ciso ] | 0.8pF |
| 输入/输出间端子容量(最大) [ Ciso ] | 1.5pF |
| 输入/输出绝缘电阻(最小) [ Riso ] | 1,000 M ohm |
| 最大通断频率 | 2.5次/s |
| [推荐动作条件] LED电流 [ IF ] | 最小：5mA 最大：30mA |
| [推荐动作条件] 负载电压 [ VL ] | 最大：48V |
| [推荐动作条件] 连续负载电流 [ IL ] | 最大：3.3A |
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