Panasonic松下 AQW414EHAZ PhotoMOS(MOSFET输出光电耦合器)
Panasonic松下 AQW414EHAZ PhotoMOS(MOSFET输出光电耦合器) 订货产品号 AQW414EHAZ 型号 AQW414EHAZ 详细 表面安装端子，盘装包装(Z)，负载电压:400 V 产品名称 PhotoMOS GE 2b 特长 具备加强绝缘5,000V 2b型 规格详细 项目 内容 订货产品号 AQW414EHAZ 型号 AQW414EHAZ 产品名称 GE 2b 类型 GE 封装 DIP8 电压类型 AC/DC 输出构成 2b 端子形状 表面安装端子 包装方式 盘装包装(Z) 包装数量内箱 (盘装包装) (个) 1,000 包装数量外箱 (个) 1,000 LED电流 [ IF ] 50mA LED反向电压 [ VR ] 5V 最大正向电流 [ IFP ] 1A 部允许损耗 [ Pin ] 75mW 负载电压 [ VL ] 400V 连续负载电流 [ IL ] 0.1A 峰值负载电流 [ Ipeak ] 0.3A 输出损耗 [ Pout ] 800mW 全部允许损耗 [ Pt ] 850mW 耐电压 [ Viso ] 5,000Vrms 使用环境温度: 动作温度 [ Topr ] -40℃～+85℃ 使用环境温度: 保存温度 [ Tstg ] -4...
分类：
货号：
AQW414EHAZ
描述
Panasonic松下 AQW414EHAZ PhotoMOS(MOSFET输出光电耦合器)
| 订货产品号 | AQW414EHAZ |
| 型号 | AQW414EHAZ |
| 详细 | 表面安装端子，盘装包装(Z)，负载电压:400 V |
| 产品名称 | PhotoMOS GE 2b |
| 特长 | 具备加强绝缘5,000V 2b型 |
规格详细
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 订货产品号 | AQW414EHAZ |
| 型号 | AQW414EHAZ |
| 产品名称 | GE 2b |
| 类型 | GE |
| 封装 | DIP8 |
| 电压类型 | AC/DC |
| 输出构成 | 2b |
| 端子形状 | 表面安装端子 |
| 包装方式 | 盘装包装(Z) |
| 包装数量 内箱 (盘装包装) (个) |
1,000 |
| 包装数量 外箱 (个) |
1,000 |
| LED电流 [ IF ] | 50mA |
| LED反向电压 [ VR ] | 5V |
| 最大正向电流 [ IFP ] | 1A |
| 部允许损耗 [ Pin ] | 75mW |
| 负载电压 [ VL ] | 400V |
| 连续负载电流 [ IL ] | 0.1A |
| 峰值负载电流 [ Ipeak ] | 0.3A |
| 输出损耗 [ Pout ] | 800mW |
| 全部允许损耗 [ Pt ] | 850mW |
| 耐电压 [ Viso ] | 5,000Vrms |
| 使用环境温度: 动作温度 [ Topr ] | -40℃～+85℃ |
| 使用环境温度: 保存温度 [ Tstg ] | -40℃～+100℃ |
| 接合部温度 [ Tj ] | 125℃ |
| 动作LED电流(平均) | 1.3mA |
| 动作LED电流(最大) | 3mA |
| 复位LED电流(最小) | 0.4mA |
| 复位LED电流(平均) | 1.2mA |
| LED压降(平均) [ VF ] | 1.25V |
| LED压降(最大) [ VF ] | 1.5V |
| 导通电阻(平均) [ Ron ] | 26 Ω |
| 导通电阻(最大) [ Ron ] | 35 Ω |
| 开路状态漏电流(最大) [ ILeak ] | 10μA |
| 过电流保护功能 | 无功能 |
| 动作时间(平均) | 0.8ms |
| 动作时间(最大) | 3ms |
| 复位时间(平均) | 0.2ms |
| 复位时间(最大) | 1ms |
| 输入/输出间端子容量(平均) [ Ciso ] | 0.8pF |
| 输入/输出间端子容量(最大) [ Ciso ] | 1.5pF |
| 输入/输出绝缘电阻(最小) [ Riso ] | 1,000 M ohm |
| [推荐动作条件] LED电流 [ IF ] | 最小：5mA 最大：30mA |
| [推荐动作条件] 负载电压 [ VL ] | 最大：320V |
| [推荐动作条件] 连续负载电流 [ IL ] | 最大：0.13A (1ch), 0.1A (2ch) |
手机/微信：13242449659电话：0755-89355351 QQ：842471885 邮箱：842471885@qq.com