Sintec新特 SA-λ-A-τ-x 透射式饱和吸收体
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无布拉格反射镜的可饱和吸收体可用于激光器的自启动、被动锁模,但工作在透射模式。例如,它可以插入光纤环形激光器。SA的饱和通量明显高于SAM。
SA订单信息:零件号:SA-λ-A-τ-x
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λ激光波长
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A 低强度吸收
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τ吸收体弛豫时间
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x 安装条件
1.零件号:STB-SA-1020-40-x,波长1020 nm
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激光波长:980-1040 nm
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吸收率:40%
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调制深度:25%
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不饱和损耗:15%
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饱和光强:300μJ/cm2
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脉冲损伤阈值:1.2 mJ/cm2
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弛豫时间常数:~500 fs
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芯片面积:5mm x 5mm;按要求提供其他尺寸
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芯片厚度:625μm;半绝缘砷化镓
2.零件号:STB-SA-1030-34-3ps-x波长1030nm
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激光波长:1000 nm…1040 nm
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吸收率:34%
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调制深度:20%
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非饱和损耗:14%
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饱和光强:300μJ/cm2
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脉冲损伤阈值:1.2 mJ/cm2
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弛豫时间常数:~3ps
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芯片面积:5mm x 5mm;按要求提供其他尺寸
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芯片厚度:450μm;半绝缘砷化镓
3.零件号:STB-SA-1064-14-28ps-x,波长1064nm
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激光波长:1000 nm…1100 nm
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吸收率:14%
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透光率:85%
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调制深度:3.4%
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饱和光强:300μJ/cm2
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损伤阈值:200mW/cm2
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弛豫时间常数:~28 ps
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芯片面积:5.0 mm x 5.0 mm;按要求提供其他尺寸
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芯片厚度:625μm;半绝缘砷化镓
4.零件号STB-SA-1064-25-500fs-x,波长1064 nm
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激光器波长:1050 nm …1090nm
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吸收率:25%
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调制深度:13%
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非饱和损耗:12%
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饱和光强:300μJ/cm2
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损伤阈值:1.2 mJ/cm2
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弛豫时间常数:~500 fs
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芯片面积:5.0 mm x 5.0 mm;按要求提供其他尺寸
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芯片厚度:625μ米;半绝缘砷化镓
5.零件号STB-SA-1064-26-37ps-x,波长1064 nm
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激光波长:1000 nm…1100 nm
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吸收率:26%
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透光率:73%
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调制深度:4.9%
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饱和光强:300μJ/cm2
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损伤阈值:1 mJ/cm2
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弛豫时间常数:~37 ps
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芯片面积:5.0 mm x 5.0 mm;按要求提供其他尺寸
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芯片厚度:625μm;半绝缘砷化镓
6.零件号STB-SA-1064-40-500fs-x,波长1064nm
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激光波长:1030 nm…1090 nm
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吸收率:40%
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调制深度:25%
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不饱和损耗:15%
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饱和光强:300μJ/cm2
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损伤阈值:1 mJ/cm2
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弛豫时间常数:~500 fs
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芯片面积:5.0 mm x 5.0 mm;按要求提供其他尺寸
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芯片厚度:625μm;半绝缘砷化镓
7.零件号STB-SA-1340-22-20ps-x,波长1340 nm
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激光波长:1340nm
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吸收率:22%
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调制深度:14%
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不饱和损耗:8%
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饱和光强:300μJ/cm2
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损伤阈值:1.2 mJ/cm2
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弛豫时间常数:~20 ps
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芯片面积:5.0 mm x 5.0 mm;按要求提供其他尺寸
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芯片厚度:625μm;半绝缘砷化镓
8.产品清单,λ=1550nm,625µm自由空间应用的基片厚度
(1) 零件号STB-SA-1550-6-20ps-x,波长1550nm
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激光波长:1550nm
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吸收率:6%
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调制深度:4%
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不饱和损耗:2%
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饱和光强:300μJ/cm2
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损伤阈值:1.5 mJ/cm2
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弛豫时间常数:~20 ps
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芯片面积:5.0 mm x 5.0 mm;按要求提供其他尺寸
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芯片厚度:625μm;半绝缘砷化镓
(2) 零件号SA-1550-35-2ps-x,波长1550 nm
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激光波长:1400 nm…1600 nm
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吸收率:35%
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调制深度:21%
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非饱和损耗:14%
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饱和光强:300μm
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损伤阈值:1.5 mJ/cm2
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弛豫时间常数:~2ps
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芯片面积:5.0 mm x 5.0 mm;按要求提供其他尺寸
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芯片厚度:625μm;半绝缘砷化镓
(3) 零件号STB-SA-1550-46-2ps-x,波长1550 nm
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激光波长:1400 nm…1600 nm
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吸收率:46%
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调制深度:28%
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不饱和损耗:18%
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饱和光强:300μJ/cm2
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损伤阈值:1.5 mJ/cm2
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弛豫时间常数:~2ps
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芯片面积:5.0 mm x 5.0 mm;按要求提供其他尺寸
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芯片厚度:625μm;半绝缘砷化镓
9. 1550nm、150µm基片厚度光纤对接耦合的可饱和吸收体
(1) 零件号STB-SA-1550-25-2ps-x,波长1550 nm
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激光波长:1500 nm…1600 nm
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吸收率:25%
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调制深度:15%
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不饱和损耗:10%
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饱和光强:300μJ/cm2
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损伤阈值:2 mJ/cm2
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弛豫时间常数:~2ps
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芯片面积:5.0 mm x 5.0 mm;按要求提供其他尺寸
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芯片厚度:100μm;半绝缘砷化镓
(2) 零件号STB-SA-1550-41-2ps-thin-x,波长1550 nm,光纤耦合用薄可饱和吸收体
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激光波长:1400 nm…1600 nm
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吸收率:41%
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调制深度:25%
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不饱和损耗:16%
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光纤耦合插入损耗:≤ 1.6分贝
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饱和光强:300μJ/cm2
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损伤阈值:1.5 mJ/cm2
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弛豫时间常数:~2ps
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芯片面积:1.3mm×1.3mm;按要求提供其他尺寸
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芯片厚度:150μm;半绝缘砷化镓
(3) 零件号STB-SA-1550-58-2ps-thin-x,波长1550 nm,光纤耦合用薄可饱和吸收体
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激光波长:1400 nm…1600 nm
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吸收率:58%
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调制深度:35%
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非饱和损耗:23%
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光纤耦合插入损耗:≤ 1.6分贝
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饱和光强:300μJ/cm2
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损伤阈值:1.5 mJ/cm2
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弛豫时间常数:~2ps
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芯片面积:1.3mm×1.3mm;按要求提供其他尺寸
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芯片厚度:150μ米;半绝缘砷化镓
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10. 2000nm可饱和吸收体
(1) 零件号STB-SA-2000-1-x波长2000 nm
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激光波长:1900 nm…2100 nm
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吸收率:1%
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调制深度:0.6%
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不饱和损耗:0.4%
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饱和光强:300μJ/cm2
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损伤阈值:3mj/cm2
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弛豫时间常数:~10ps
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芯片面积:5.0 mm x 5.0 mm;按要求提供其他尺寸
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芯片厚度:625μ米;半绝缘砷化镓
(2)零件号STB-SA-2000-25-10ps-x,波长2000 nm
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激光波长:1800 nm…2200 nm
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吸收率:25%@2000 nm
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透光率:74%@2000 nm
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反射率:1%@2000 nm
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调制深度:15%@2000 nm
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非饱和损耗:11%@2000 nm
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饱和光强:2 mJ/cm2
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损伤阈值:4mj/cm2
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弛豫时间常数:~10ps
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芯片面积:5.0 mm x 5.0 mm;按要求提供其他尺寸
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芯片厚度:180μ米;半绝缘砷化镓
(3) 零件号STB-SA-2000-43-x,波长2000 nm
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激光波长:1800 nm…2200 nm
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吸收率:43%@2000 nm
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透光率:56%@2000 nm
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反射率:0.2%@2000 nm
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调制深度:23%@2000 nm
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非饱和损耗:20%@2000 nm
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饱和光强:300μJ/cm2
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损伤阈值:2 mJ/cm2
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弛豫时间常数:~10ps
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芯片面积:5.0 mm x 5.0 mm;按要求提供其他尺寸
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芯片厚度:625μm或150μm配光纤对接耦合;半绝缘砷化镓
11.零件号STB-SA-2800-10-10ps-x,波长2800 nm
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激光波长:2500 nm…3000 nm
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吸收率:10%@2.8μ米
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透光率:90%@2.8μ米
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反射率:0%@2.8μ米
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调制深度:6%@2.8μ米
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非饱和损耗:4%@2.8μ米
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饱和光强:300μJ/cm2
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损伤阈值:2 mJ/cm2
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弛豫时间常数:~10ps
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芯片面积:5mm×5mm;按要求提供其他尺寸
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芯片厚度:625μm半绝缘砷化镓
手机/微信:13242449659电话:0755-89355351 QQ:842471885 邮箱:842471885@qq.com