Sintec新特 SA-λ-A-τ-x 透射式饱和吸收体

Sintec新特 SA-λ-A-τ-x 透射式饱和吸收体 无布拉格反射镜的可饱和吸收体可用于激光器的自启动、被动锁模,但工作在透射模式。例如,它可以插入光纤环形激光器。SA的饱和通量明显高于SAM。 SA订单信息:零件号:SA-λ-A-τ-x λ激光波长 A 低强度吸收 τ吸收体弛豫时间 x 安装条件 1.零件号:STB-SA-1020-40-x,波长1020 nm 激光波长:980-1040 nm 吸收率:40% 调制深度:25% 不饱和损耗:15% 饱和光强:300μJ/cm2 脉冲损伤阈值:1.2 mJ/cm2 弛豫时间常数:~500 fs 芯片面积:5mm x 5mm;按要求提供其他尺寸 芯片厚度:625μm;半绝缘砷化镓 2.零件号:STB-SA-1030-34-3ps-x波长1030nm 激光波长:1000 nm…1040 nm 吸收率:34% 调制深度:20% 非饱和损耗:14% 饱和光强:300μJ/cm2 脉冲损伤阈值:1.2 mJ/cm2 弛豫时间常数:~3ps 芯片面积:5mm x 5mm;按要求提供其他尺寸 芯片厚度:450μm;半绝缘砷化镓 3.零件号:STB-SA-1064-14-28ps-x,波长1064nm 激光波长:1000 nm…1100 ...
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SA-λ-A-τ-x

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Sintec新特 SA-λ-A-τ-x 透射式饱和吸收体

无布拉格反射镜的可饱和吸收体可用于激光器的自启动、被动锁模,但工作在透射模式。例如,它可以插入光纤环形激光器。SA的饱和通量明显高于SAM。

SA订单信息:零件号:SA-λ-A-τ-x

  • λ激光波长

  • A 低强度吸收

  • τ吸收体弛豫时间

  • x 安装条件

1.零件号:STB-SA-1020-40-x,波长1020 nm

  • 激光波长:980-1040 nm

  • 吸收率:40%

  • 调制深度:25%

  • 不饱和损耗:15%

  • 饱和光强:300μJ/cm2

  • 脉冲损伤阈值:1.2 mJ/cm2

  • 弛豫时间常数:~500 fs

  • 芯片面积:5mm x 5mm;按要求提供其他尺寸

  • 芯片厚度:625μm;半绝缘砷化镓

2.零件号:STB-SA-1030-34-3ps-x波长1030nm

  • 激光波长:1000 nm…1040 nm

  • 吸收率:34%

  • 调制深度:20%

  • 非饱和损耗:14%

  • 饱和光强:300μJ/cm2

  • 脉冲损伤阈值:1.2 mJ/cm2

  • 弛豫时间常数:~3ps

  • 芯片面积:5mm x 5mm;按要求提供其他尺寸

  • 芯片厚度:450μm;半绝缘砷化镓

3.零件号:STB-SA-1064-14-28ps-x,波长1064nm

  • 激光波长:1000 nm…1100 nm

  • 吸收率:14%

  • 透光率:85%

  • 调制深度:3.4%

  • 饱和光强:300μJ/cm2

  • 损伤阈值:200mW/cm2

  • 弛豫时间常数:~28 ps

  • 芯片面积:5.0 mm x 5.0 mm;按要求提供其他尺寸

  • 芯片厚度:625μm;半绝缘砷化镓

4.零件号STB-SA-1064-25-500fs-x,波长1064 nm

  • 激光器波长:1050 nm …1090nm

  • 吸收率:25%

  • 调制深度:13%

  • 非饱和损耗:12%

  • 饱和光强:300μJ/cm2

  • 损伤阈值:1.2 mJ/cm2

  • 弛豫时间常数:~500 fs

  • 芯片面积:5.0 mm x 5.0 mm;按要求提供其他尺寸

  • 芯片厚度:625μ米;半绝缘砷化镓

5.零件号STB-SA-1064-26-37ps-x,波长1064 nm

  • 激光波长:1000 nm…1100 nm

  • 吸收率:26%

  • 透光率:73%

  • 调制深度:4.9%

  • 饱和光强:300μJ/cm2

  • 损伤阈值:1 mJ/cm2

  • 弛豫时间常数:~37 ps

  • 芯片面积:5.0 mm x 5.0 mm;按要求提供其他尺寸

  • 芯片厚度:625μm;半绝缘砷化镓

6.零件号STB-SA-1064-40-500fs-x,波长1064nm

  • 激光波长:1030 nm…1090 nm

  • 吸收率:40%

  • 调制深度:25%

  • 不饱和损耗:15%

  • 饱和光强:300μJ/cm2

  • 损伤阈值:1 mJ/cm2

  • 弛豫时间常数:~500 fs

  • 芯片面积:5.0 mm x 5.0 mm;按要求提供其他尺寸

  • 芯片厚度:625μm;半绝缘砷化镓

7.零件号STB-SA-1340-22-20ps-x,波长1340 nm

  • 激光波长:1340nm

  • 吸收率:22%

  • 调制深度:14%

  • 不饱和损耗:8%

  • 饱和光强:300μJ/cm2

  • 损伤阈值:1.2 mJ/cm2

  • 弛豫时间常数:~20 ps

  • 芯片面积:5.0 mm x 5.0 mm;按要求提供其他尺寸

  • 芯片厚度:625μm;半绝缘砷化镓

8.产品清单,λ=1550nm,625µm自由空间应用的基片厚度

(1) 零件号STB-SA-1550-6-20ps-x,波长1550nm

  • 激光波长:1550nm

  • 吸收率:6%

  • 调制深度:4%

  • 不饱和损耗:2%

  • 饱和光强:300μJ/cm2

  • 损伤阈值:1.5 mJ/cm2

  • 弛豫时间常数:~20 ps

  • 芯片面积:5.0 mm x 5.0 mm;按要求提供其他尺寸

  • 芯片厚度:625μm;半绝缘砷化镓

(2) 零件号SA-1550-35-2ps-x,波长1550 nm

  • 激光波长:1400 nm…1600 nm

  • 吸收率:35%

  • 调制深度:21%

  • 非饱和损耗:14%

  • 饱和光强:300μm

  • 损伤阈值:1.5 mJ/cm2

  • 弛豫时间常数:~2ps

  • 芯片面积:5.0 mm x 5.0 mm;按要求提供其他尺寸

  • 芯片厚度:625μm;半绝缘砷化镓

(3) 零件号STB-SA-1550-46-2ps-x,波长1550 nm

  • 激光波长:1400 nm…1600 nm

  • 吸收率:46%

  • 调制深度:28%

  • 不饱和损耗:18%

  • 饱和光强:300μJ/cm2

  • 损伤阈值:1.5 mJ/cm2

  • 弛豫时间常数:~2ps

  • 芯片面积:5.0 mm x 5.0 mm;按要求提供其他尺寸

  • 芯片厚度:625μm;半绝缘砷化镓

9. 1550nm、150µm基片厚度光纤对接耦合的可饱和吸收体

(1) 零件号STB-SA-1550-25-2ps-x,波长1550 nm

  • 激光波长:1500 nm…1600 nm

  • 吸收率:25%

  • 调制深度:15%

  • 不饱和损耗:10%

  • 饱和光强:300μJ/cm2

  • 损伤阈值:2 mJ/cm2

  • 弛豫时间常数:~2ps

  • 芯片面积:5.0 mm x 5.0 mm;按要求提供其他尺寸

  • 芯片厚度:100μm;半绝缘砷化镓

(2) 零件号STB-SA-1550-41-2ps-thin-x,波长1550 nm,光纤耦合用薄可饱和吸收体

  • 激光波长:1400 nm…1600 nm

  • 吸收率:41%

  • 调制深度:25%

  • 不饱和损耗:16%

  • 光纤耦合插入损耗:≤ 1.6分贝

  • 饱和光强:300μJ/cm2

  • 损伤阈值:1.5 mJ/cm2

  • 弛豫时间常数:~2ps

  • 芯片面积:1.3mm×1.3mm;按要求提供其他尺寸

  • 芯片厚度:150μm;半绝缘砷化镓

(3) 零件号STB-SA-1550-58-2ps-thin-x,波长1550 nm,光纤耦合用薄可饱和吸收体

  • 激光波长:1400 nm…1600 nm

  • 吸收率:58%

  • 调制深度:35%

  • 非饱和损耗:23%

  • 光纤耦合插入损耗:≤ 1.6分贝

  • 饱和光强:300μJ/cm2

  • 损伤阈值:1.5 mJ/cm2

  • 弛豫时间常数:~2ps

  • 芯片面积:1.3mm×1.3mm;按要求提供其他尺寸

  • 芯片厚度:150μ米;半绝缘砷化镓

  • 10. 2000nm可饱和吸收体

(1) 零件号STB-SA-2000-1-x波长2000 nm

  • 激光波长:1900 nm…2100 nm

  • 吸收率:1%

  • 调制深度:0.6%

  • 不饱和损耗:0.4%

  • 饱和光强:300μJ/cm2

  • 损伤阈值:3mj/cm2

  • 弛豫时间常数:~10ps

  • 芯片面积:5.0 mm x 5.0 mm;按要求提供其他尺寸

  • 芯片厚度:625μ米;半绝缘砷化镓

(2)零件号STB-SA-2000-25-10ps-x,波长2000 nm

  • 激光波长:1800 nm…2200 nm

  • 吸收率:25%@2000 nm

  • 透光率:74%@2000 nm

  • 反射率:1%@2000 nm

  • 调制深度:15%@2000 nm

  • 非饱和损耗:11%@2000 nm

  • 饱和光强:2 mJ/cm2

  • 损伤阈值:4mj/cm2

  • 弛豫时间常数:~10ps

  • 芯片面积:5.0 mm x 5.0 mm;按要求提供其他尺寸

  • 芯片厚度:180μ米;半绝缘砷化镓

(3) 零件号STB-SA-2000-43-x,波长2000 nm

  • 激光波长:1800 nm…2200 nm

  • 吸收率:43%@2000 nm

  • 透光率:56%@2000 nm

  • 反射率:0.2%@2000 nm

  • 调制深度:23%@2000 nm

  • 非饱和损耗:20%@2000 nm

  • 饱和光强:300μJ/cm2

  • 损伤阈值:2 mJ/cm2

  • 弛豫时间常数:~10ps

  • 芯片面积:5.0 mm x 5.0 mm;按要求提供其他尺寸

  • 芯片厚度:625μm或150μm配光纤对接耦合;半绝缘砷化镓

11.零件号STB-SA-2800-10-10ps-x,波长2800 nm

  • 激光波长:2500 nm…3000 nm

  • 吸收率:10%@2.8μ米

  • 透光率:90%@2.8μ米

  • 反射率:0%@2.8μ米

  • 调制深度:6%@2.8μ米

  • 非饱和损耗:4%@2.8μ米

  • 饱和光强:300μJ/cm2

  • 损伤阈值:2 mJ/cm2

  • 弛豫时间常数:~10ps

  • 芯片面积:5mm×5mm;按要求提供其他尺寸

  • 芯片厚度:625μm半绝缘砷化镓

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