Sintec新特 STEK-BBO普克尔盒

Sintec新特 STEK-BBO普克尔盒

Sintec新特 STEK-BBO普克尔盒此系列普克尔盒是在BBO等电光晶体的电极上施压用来改变通过这些晶体的的光的偏振态。当与偏振器一起使用时，它可以用作快速关断开关。典型应用包括激光腔的调Q，实现激光腔倒空将光注入或从再生放大器中耦合出来。BBO普克尔盒通常用在从紫外到2μm以上的波长范围。PCB系列的普克尔盒是横向磁场器件。BBO电光系数低，工作电压高。四分之一波电压与电极间距和晶体长度的比值成正比。因此，小通光孔径的普克尔合的四分之一波电压也较低。对于通光孔径达到2.5mm的普克尔盒，其四分之一波电压高达4kv@1064nm。此产品采用双晶体设计以降低所需电压，并可在半波模式下快速切换。主要特点减小压电振铃低吸收陶瓷孔径 200 nm~ 2000 nm传输范围结构紧凑主要应用高重复频率的半导体Q开关高重复频率的再生放大器控制腔倒空束流脉冲调制产品型号 STEK-PCB3S STEK-PCB3D STEK-PCB3S/25 STEK-PCB3D/25 STEK-PCB4S STEK-PCB4D 通光孔径, mm 2.5 2.5 2.5 2.5 3.5 3.5...

分类：

Sintec新特

货号：

STEK-BBO

Sintec新特 STEK-BBO普克尔盒

此系列普克尔盒是在BBO等电光晶体的电极上施压用来改变通过这些晶体的的光的偏振态。当与偏振器一起使用时，它可以用作快速关断开关。典型应用包括激光腔的调Q，实现激光腔倒空将光注入或从再生放大器中耦合出来。BBO普克尔盒通常用在从紫外到2μm以上的波长范围。PCB系列的普克尔盒是横向磁场器件。BBO电光系数低，工作电压高。四分之一波电压与电极间距和晶体长度的比值成正比。因此，小通光孔径的普克尔合的四分之一波电压也较低。对于通光孔径达到2.5mm的普克尔盒，其四分之一波电压高达4kv@1064nm。此产品采用双晶体设计以降低所需电压，并可在半波模式下快速切换。

主要特点

减小压电振铃
低吸收
陶瓷孔径
200 nm~ 2000 nm传输范围
结构紧凑

主要应用

高重复频率的半导体Q开关
高重复频率的再生放大器控制
腔倒空
束流脉冲调制

产品型号	STEK-PCB3S	STEK-PCB3D	STEK-PCB3S/25	STEK-PCB3D/25	STEK-PCB4S	STEK-PCB4D
通光孔径, mm	2.5	2.5	2.5	2.5	3.5	3.5
晶体尺寸 (宽x高x长), mm	3x3x20	3x3x20	3x3x25	3x3x25	4x4x20	4x4x20
晶体数量	1	2	1	2	1	2
1/4波电压 (@ 1064nm), kVDC	< 3.5	< 1.8	< 3.0	< 1.5	< 4.6	< 2.3
电容, pF	4	6	4	6	3	6
光通过率, %	> 98	> 98	> 98	> 98	> 98	> 98
对比度1)	> 1:1000	> 1:500	> 1:1000	> 1:500	> 1:1000	> 1:500
尺寸, mm	Ø25.4x37.2	Ø25.4x57.2	Ø25.4x42.2	Ø25.4x67.2	Ø25.4x37.2	Ø25.4x57.2

所有的晶体镀镆层 AR/AR@1064 nm. 可根据客户要求提供其他镀膜，损伤阈值> 5 J/cm2，1064 nm， 10ns

产品型号	STEK-PCB3S-1342	STEK-PCB3D-800	STEK-PCB3S-532
通光孔径, mm	2.5	2.5	2.5
晶体尺寸 (宽x高x长) mm	3x3x20	3x3x20	4x4x20
晶体数量	2	1	1
四分之一波电压, kVDC	< 2.4	< 2.6	< 2.25
波长, nm	1342	800	532
电容, pF	4	6	4
光通过率, %	> 98	> 98	> 98
对比度1)	> 1:500	> 1:1000	> 1:1000
尺寸, mm	Ø25.4x57.2	Ø25.4x37.2	Ø25.4x37.2

1)交叉极化法测量

手机/微信：13242449659电话：0755-89355351 QQ：842471885 邮箱：842471885@qq.com

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