Sintec新特 RTP晶体电光Q开关
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Sintec新特 RTP晶体电光Q开关
RTP（磷酸钛氧铷）晶体属KTP族晶体，因其良好的电学与光学性能，包括较高的电阻率（约1011-1012Ω·cm和抗光伤阈值，非常适合用做电光器件，如激光Q开关、快门、相位和振幅调制器、脉冲选择器，腔倒空器和偏转器。
我公司提供的RTP晶体Q开关，采用双晶体结构，两块晶体光轴彼此垂直，可以自动补偿环境温度变化，是一种无需温控的激光器件。除此之外，RTP晶体器件还具有下列明显优势：
1.适用波长：450nm – 3μm，器件消光比 ＞ 23 dB
2.双晶体总的电容量很小， 5mm长晶体的总电容量为2-3pF或10mm长晶体的总电容量为3-4pF，可实现脉冲上升/下降时间：0.5-5ns
3.与其它电光Q相比，具有较低的半波电压，更容易控制
4.晶体内部质量好，光学吸收低，双晶体的总体透光率> 98.5%
5.动态、静态半波电压基本一致，易于安装和调节
6.适用于高频操作，最高开关频率可达1MHz
7.小巧的外形和较低的操作电压，使其更适于新型的光纤与碟片激光器应用
8.最大15x15mm²口径器件可用于大型军工和航天用途激光器
9.使用温度﹣50-70℃，无需温控
10.晶体损伤阈值达1GW/cm² @ 1064nm, 10ns脉宽
11.晶体不潮解，介电常数低，优良的电学稳定性，可长期承受外加电压
12.在高频工作时，极低的振铃效应，远远低于BBO电光Q的振铃效应
RTP晶体电光Q型号定义规则
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型号：Ty ‐ D ‐ O ‐ Cr ‐ L ‐ E ‐ W
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Ty ‐ 晶体类别: R (RTP)
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D ‐ 电光器件: Q (电光Q)，M (双晶体结构)，或S (单晶体结构)
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O ‐ 晶体切割方向: X / Y / Z
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Cr ‐ 晶体截面 [mm]
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L ‐ 晶体长度 [mm]
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E ‐ 消光比20/23/25/30 [dB]
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W ‐ 工作激光波长 [nm]
典型电光Q开关晶体尺寸和半波电压 (外观尺寸图)
| 器件型号 | 晶体尺寸 [mm] | 半波电压(kV) | 器件型号 | 晶体尺寸 | 半波电压(kV) |
| R-Q-Y-020-5-20-1064 | 2 x 2 x 5 | 1.3 | R-Q-Y-020-10-20-1064 | 2 x 2 x 10 | .66 |
| R-Q-Y-030-5-20-1064 | 3 x 3 x 5 | 2.0 | R-Q-Y-030-10-20-1064 | 3 x 3 x 10 | .99 |
| R-Q-Y-040-5-20-1064 | 4 x 4 x 5 | 2.6 | R-Q-Y-040-10-20-1064 | 4 x 4 x 10 | 1.3 |
| R-Q-Y-050-5-20-1064 | 5 x 5 x 5 | 3.3 | R-Q-Y-050-10-20-1064 | 5 x 5 x 10 | 1.7 |
| R-Q-Y-060-5-20-1064 | 6 x 6 x 5 | 4.0 | R-Q-Y-060-10-20-1064 | 6 x 6 x 10 | 2.0 |
| R-Q-X-020-5-20-1064 | 2 x 2 x 5 | 1.6 | R-Q-X-020-10-20-1064 | 2 x 2 x 10 | .79 |
| R-Q-X-030-5-20-1064 | 3 x 3 x 5 | 1.6 | R-Q-X-030-10-20-1064 | 3 x 3 x 10 | 1.2 |
| R-Q-X-040-5-20-1064 | 4 x 4 x 5 | 1.6 | R-Q-X-040-10-20-1064 | 4 x 4 x 10 | 1.6 |
| R-Q-X-050-5-20-1064 | 5 x 5 x 5 | 1.6 | R-Q-X-050-10-20-1064 | 5 x 5 x 10 | 2.0 |
| R-Q-X-060-5-20-1064 | 6 x 6 x 5 | 1.6 | R-Q-X-060-10-20-1064 | 6 x 6 x 10 | 2.4 |
| R-Q-X-070-5-20-1064 | 7 x 7 x 5 | 1.6 | R-Q-X-070-10-20-1064 | 7 x 7 x 10 | 2.8 |
| R-Q-X-080-5-20-1064 | 8 x 8 x 5 | 1.6 | R-Q-X-080-10-20-1064 | 8 x 8 x 10 | 3.2 |
| R-Q-X-090-5-20-1064 | 9 x 9 x 5 | 1.6 | R-Q-X-090-10-20-1064 | 9 x 9 x 10 | 3.6 |
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